越級打怪 最怕雷大雨小

　大陸全力發展半導體技術，傳出將進軍新一代化合物半導體材料碳化矽（SiC）及氮化鎵（GaN），不過由於該款產品技術難度高，又需要先進半導體設備支援，以目前美中關係緊張局勢，中國在先進半導體設備取得恐怕有極大困難，加上合肥長鑫、長江存儲及武漢弘芯案例，恐怕又是另一個雷聲大、雨點小的案例。

　大陸傳出將傾國家之力，將SiC、GaN等新一代化合物半導體材料技術研發納入國家經濟發展的「十四五規劃」，藉此卡位先進半導體市場，擺脫對美國的技術依賴。

　據了解，SiC、GaN技術難度相當高，現在僅英飛凌、意法半導體等國際IDM大廠成功導入量產，國內半導體廠當中，也只有晶圓代工龍頭台積電小量提供6吋GaN on Si（矽基氮化鎵）、GaN on SiC（碳化矽基氮化鎵）等代工服務，另外漢磊雖然早在前幾年就跨入市場，但仍難以達到獲利水準。

　除了半導體設備之外，良率更是關鍵因素。供應鏈指出，由於SiC、GaN技術難度相當高，在初期產出參數調整上需要耗費極大功夫，甚至良率需要高達九成以上才可能達到獲利水準。

　在中國喊出將跨入SiC、GaN市場後，首先將面臨到設備取得問題，在美中關係緊張狀態之下，先進半導體設備取得是難上加難，另外中國目前並無SiC、GaN技術，因此前期技術研發恐怕將又將耗費一大段時間。

　此外，曾喊出成功量產DDR4 DRAM的合肥長鑫、長江存儲3D NAND Flash，目前在OEM／ODM供應鏈裡，幾乎沒有見到這兩大廠產出的晶片蹤跡，僅在白牌市場上有一席之地。最後，是宣布進軍7奈米技術、但卻先爆出財務危機的武漢弘芯，恐將面臨倒閉風險，中國宣布進軍SiC、GaN市場，怕又是另一個雷聲大、雨點小的案例。