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8,000億 三星大手筆加碼半導體

 逆向加碼?韓國三星電子繼日前宣布在韓國平澤二廠(P2)擴建極紫外光(EUV)晶圓代工生產線(10兆韓元)後,1日再宣布,將以8兆韓元在該廠擴大3D NAND記憶體產能,加上市場推估三星可能再加碼DRAM投資15兆韓元,這一波景氣危機,三星合計可能加碼33兆韓元(約新台幣8千億元)大投資。

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