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《科技》去年DRAM產值年增76%,今年估成長逾3成

根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示,2017年第四季DRAM產值較前一季再成長14.2%,全年產值成長率達76%。2018年DRAM產業產值將成長超過3成,規模達960億美元。

2017年第四季的DRAM產業營收再創歷史新高。從價格來看,行動式記憶體接棒漲價,以及智慧型手機旗艦機種的旺季效應,以三星為首的DRAM廠拉抬行動式記憶體報價,帶動行動式記憶體在第四季有5-20%的漲幅,其餘各類DRAM產品合約價較前季再上漲5-10%。

DRAMeXchange資深研究協理吳雅婷指出,展望2018年第一季,PC-OEM廠已陸續議定合約價格,就一線大廠訂價來看,PC DRAM均價已來到33美元,較上一季平均漲幅約5%;北美四大網路服務提供業者為首的資料中心拉貨動能仍強,帶動本季伺服器記憶體價格上漲3-5%。至於智慧型手機第一季買氣較原先預期低迷,加上NAND跌價與中國發改委因素影響,行動式記憶體價格漲幅較先前收斂,平均價格小漲約3%。

從整體產值來看,DRAMeXchange預估,2018年DRAM產業產值將成長超過3成,規模達960億美元。

觀察各廠2017年第四季營收表現,三星穩坐DRAM產業的龍頭,營收達101億美元,季成長14.5%,再度創下歷史新高;SK海力士營收衝至63億美元,較前季成長14.1%,兩大韓廠的市占率各為46.0%與28.7%,合計已囊括74.7%的市占率;美光集團維持第三,營收46億美元,季增13.4%,市占20.8%。

展望2018年第一季,受惠於DRAM價格持續上漲與製程轉進所帶來的成本效益,三大廠營收可望再創新猷,獲利率也可望提升。

從技術面來看,三星今年的目標除了持續提升18奈米製程的產出比重外,為期近兩年DRAM漲價帶動DRAM供應商的高獲利,以及中國潛在競爭者的加入,也讓三星決定展開新一波的擴產計畫,將原本規劃做NAND Flash的平澤廠二樓空間投入生產DRAM,一方面因應DRAM供給吃緊狀況,另一方面藉由減少未來NAND Flash的投片量,來抑制NAND Flash的跌價速度,對此,DRAMeXchange指出,此舉對整體記憶體產業屬健康發展,而並非壞事。

SK海力士去年底開始導入18奈米的生產,然而,進入1X奈米世代製程難度高、轉換不易,SK海力士目前仍致力於提升18奈米良率;SK海力士最快要到2019年才會在中國無錫新建的第二座12吋廠看到產能開出。

美光在技術佈局方面,台灣美光記憶體(原瑞晶)17奈米目前產出比重已超過9成,預計今年第二季初將完成轉換,台灣美光晶圓科技(原華亞科)計畫今年中開始往17奈米轉換,預計今年年底將可望有一半產能轉往17奈米生產,並於明年上半年全數導入。

台系廠商部分,南亞科(2408)2018年第四季營收季成長26.9%,主要歸功於20奈米轉換良率超乎預期,以及價格持續走揚。20奈米的成本效益拉升營業利益率至38.9%,季成長7個百分點。展望未來,由於20奈米良率繼續提升,將持續改善成本結構,增加獲利空間。

力晶科技(5346)2017年第四季DRAM營收持平,主要是替晶豪科、愛普等IC設計業者代工的獲利較佳,力晶本身DRAM產能轉向更高毛利的產品。

華邦電(2344)上季DRAM營收則下滑2.2%,主因為DRAM產能受到NOR Flash產能壓縮所導致。