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力旺NeoFuse矽智財導入華邦電25奈米DRAM製程

嵌入式非揮發性記憶體矽智財(eNVM IP)供應商力旺(3529)25日宣布,其一次可編程(OTP)記憶體矽智財NeoFuse成功導入華邦電(2344)25奈米DRAM製程平台,即將進入量產階段,有助於客戶在車用、工業、5G通訊等新的市場應用取得先機。

NeoFuse矽智財使DRAM產品在封裝前的晶片測試及封裝後的產品測試均可進行修補,達到多次修補(Multi-Repair)的目的。與傳統雷射調校(Laser Trimming)相比,不僅降低調校成本與時間,並可使製造測試流程更加便利。尤其是在晶片封裝後仍可進行修補,大為提升多晶片封裝(MCP)產品的生產良率。